Новые миниатюрные силовые MOSFET компании Vishay имеют самое низкое в отрасли сопротивление канала


Главная  >  Новости  >  Новости за 2013 год  >  Февраль 2013  >  Новые миниатюрные силовые MOSFET компании Vishay имеют самое низкое в отрасли сопротивление канала


 15 февраля 2013 



 

Приборы предназначены для подключения батарей или нагрузки в системах управления питанием такой портативной электроники, как смартфоны и мобильные компьютеры. Компактные размеры и сверхтонкий профиль этих MOSFET позволят создавать еще более тонкие и легкие устройства, а их низкое сопротивление в открытом состоянии сокращает потери мощности и продляет время автономной работы до подзарядки. Низкое сопротивление в открытом состоянии также означает меньшее падение напряжения на ключах коммутации питания, что предотвращает нежелательную блокировку при разряде батарей.

Для приложений, где низкое сопротивление в открытом состоянии является более приоритетным, чем экономия пространства, n-канальный Si8424CDB с напряжением стока 8 В и р-канальный Si8425DB с напряжением 20 В обеспечивают максимальное сопротивление в открытом состоянии 20 мОм и 23 мОм, соответственно, при управляющем напряжении затвора 4.5 В. Устройства предлагаются в корпусах CSP с размерами 1.6 × 1.6 × 0.6 мм. Для устройств, где минимальная площадь на плате является более важным параметром, чем сопротивление, может использоваться 8-вольтовый n-канальный MOSFET типа Si8466EDB с максимальным сопротивлением в открытом состоянии 43 мОм при напряжении затвора 4.5 В. размер корпуса этого транзистора всего 1 × 1 × 0.55 мм. Si8466EDB устойчив к электростатическим разрядам с напряжением до 3000 В.

Значения сопротивлений в открытом состоянии, специфицированные для напряжений затвора от 1.2 В, позволяют использовать Si8466EDB и Si8424CDB с более низковольтными драйверами затворов и с меньшими напряжениями на шинах питания, распространенными в портативных устройствах, позволяя сократить объем и стоимость цепей смещения уровня. Все устройства соотвествуют требованиям директивы RoHS 2011/65/EU и не содержат галогенов в соответствии с определением JEDEC JS709A.

Технические характеристики устройств:

Прибор Si8466EDB Si8424CDB Si8425DB
Полярность N N P
VDS (В) 8 8 -20
RDS(ON) (мОм) макс. при 4.5 В 43 20 23
2.5 В 46 21 27
1.8 В — 23 40
1.5 В 60 28 —
1.2 В 90 45 —
Размеры (мм × мм) 1 × 1 1.6 × 1.6 1.6 × 1.6
Высота (мм) 0.55 0.6 0.6