Новые миниатюрные силовые MOSFET компании Vishay имеют самое низкое в отрасли сопротивление канала
Главная > Новости > Новости за 2013 год > Февраль 2013 > Новые миниатюрные силовые MOSFET компании Vishay имеют самое низкое в отрасли сопротивление канала
15 февраля 2013

Приборы предназначены для подключения батарей или нагрузки в системах управления питанием такой портативной электроники, как смартфоны и мобильные компьютеры. Компактные размеры и сверхтонкий профиль этих MOSFET позволят создавать еще более тонкие и легкие устройства, а их низкое сопротивление в открытом состоянии сокращает потери мощности и продляет время автономной работы до подзарядки. Низкое сопротивление в открытом состоянии также означает меньшее падение напряжения на ключах коммутации питания, что предотвращает нежелательную блокировку при разряде батарей.
Для приложений, где низкое сопротивление в открытом состоянии является более приоритетным, чем экономия пространства, n-канальный Si8424CDB с напряжением стока 8 В и р-канальный Si8425DB с напряжением 20 В обеспечивают максимальное сопротивление в открытом состоянии 20 мОм и 23 мОм, соответственно, при управляющем напряжении затвора 4.5 В. Устройства предлагаются в корпусах CSP с размерами 1.6 × 1.6 × 0.6 мм. Для устройств, где минимальная площадь на плате является более важным параметром, чем сопротивление, может использоваться 8-вольтовый n-канальный MOSFET типа Si8466EDB с максимальным сопротивлением в открытом состоянии 43 мОм при напряжении затвора 4.5 В. размер корпуса этого транзистора всего 1 × 1 × 0.55 мм. Si8466EDB устойчив к электростатическим разрядам с напряжением до 3000 В.
Значения сопротивлений в открытом состоянии, специфицированные для напряжений затвора от 1.2 В, позволяют использовать Si8466EDB и Si8424CDB с более низковольтными драйверами затворов и с меньшими напряжениями на шинах питания, распространенными в портативных устройствах, позволяя сократить объем и стоимость цепей смещения уровня. Все устройства соотвествуют требованиям директивы RoHS 2011/65/EU и не содержат галогенов в соответствии с определением JEDEC JS709A.
Технические характеристики устройств:
Прибор | Si8466EDB | Si8424CDB | Si8425DB | |
Полярность | N | N | P | |
VDS (В) | 8 | 8 | -20 | |
RDS(ON) (мОм) макс. при | 4.5 В | 43 | 20 | 23 |
2.5 В | 46 | 21 | 27 | |
1.8 В | — | 23 | 40 | |
1.5 В | 60 | 28 | — | |
1.2 В | 90 | 45 | — | |
Размеры (мм × мм) | 1 × 1 | 1.6 × 1.6 | 1.6 × 1.6 | |
Высота (мм) | 0.55 | 0.6 | 0.6 |
- Новости за 2016 год
- Декабрь 2015
- Апрель 2015
- Март 2015
- Новости за 2014 год
- Новости за 2013 год
- Новости за 2012 год
- Новости за 2011 год
- Новости за 2010 год
- Новости за 2009 год
- Новости за 2008 год