Новый силовой MOSFET транзистор IR от компании International Rectifier


Главная  >  Новости  >  Новости за 2011 год  >  Декабрь 2011  >  Новый силовой MOSFET транзистор IR от компании International Rectifier


 26 декабря 2011 



Компания International Rectifier вновь приступила к производству полевых силовых HEXFET транзисторов после продажи бизнеса силовых приборов компании Vishay. Первой моделью стал 500В транзистор IRFB812PBF.

Транзисторы предназначены для импульсных источников питания с «мягким» переключением (нуль-вольтовым), для бесперебойных источников питания и систем управления электроприводом.

Преимущества
- быстродействующий диод уменьшает число внешних компонентов обвязки
- низкий заряд затвора упрощает управление
- высокий порог напряжения затвора улучшает стойкость прибора к шумам

Технические характеристики
Корпус: ТО-220АВ
Напряжение пробоя: 500 В
Макс. напряжение затвора: 20 В
Сопротивление открытого канала макс. (10 В): 2200 мОм
Ток стока (25°С): 3.6 А
Ток стока (100°С): 2.3 А
Заряд затвора: 13.3 нКл
Термосопротивление: 1.6 К/Вт
Мощность рассеяния (25°С): 78 Вт